離子注入高壓電源能量時空分布控制

一、工藝需求與控制難點
離子注入是半導體摻雜的核心工藝，通過將特定離子（如 B、P、As）加速至 1keV-1MeV 能量并注入晶圓，形成精確的摻雜區域。能量時空分布不均會導致兩大問題：一是 “時間分布不均”（電壓波動）引發離子能量偏差，導致結深偏差超過 5%；二是 “空間分布不均”（離子束偏轉）導致晶圓邊緣與中心摻雜濃度差異，影響晶體管性能一致性。對于 7nm 及以下制程，離子能量穩定性需控制在 ±0.1%，空間分布均勻性需達 ±2%。
二、能量時空分布控制技術
1.閉環能量反饋控制
電源輸出端串聯高精度能量分析儀（誤差 <0.001%），實時采集離子束能量信號并轉化為電壓反饋值。通過 FPGA 控制的數字 PID 算法，調整高頻逆變模塊的開關頻率（50-200kHz），將輸出電壓波動控制在 ±0.1% 以內。同時，采用 “預穩壓 + 主穩壓” 雙級結構，前級抵消電網 ±10% 的電壓波動，后級實現精細調節。
1.時空同步與束流補償
時序控制上，采用時鐘同步技術，使高壓電源、離子源觸發信號、晶圓掃描系統的同步誤差小于 10ns，確保離子注入時序與晶圓運動精準匹配；空間控制上，將高壓電源與靜電透鏡電壓調節聯動 —— 通過監測晶圓邊緣離子束電流（精度 1nA），動態調整靜電透鏡聚焦電壓，補償離子束在晶圓邊緣的能量損失，使晶圓表面離子能量分布均勻性達 ±2%。
三、工藝應用成效
在 7nm 邏輯芯片摻雜工藝中，該控制方案使晶圓不同位置的結深偏差從 8% 降至 2%，摻雜濃度均勻性提升至 ±1.5%；晶體管漏電流差異縮小至 10% 以內，開關速度穩定性提升 15%，芯片良率從 75% 提升至 90%，完全滿足先進半導體制程對離子注入精度的要求。