技術資源

電鏡高壓電源超低EMI屏蔽結構的技術解析

電子顯微鏡（電鏡）的分辨率與成像質量高度依賴其高壓電源的穩定性。外部電磁干擾（EMI）會導致電子束偏轉、圖像模糊甚至數據失真。因此，

蝕刻設備高壓電源動態偏置調節：精密控制的核心突破

在半導體制造中，等離子體刻蝕工藝的納米級圖形轉移精度直接決定器件的性能和良率。高壓電源作為等離子體的能量來源，其動態偏置調節能力成

準分子激光高壓電源放電通道優化的關鍵技術路徑

準分子激光器作為深紫外波段的高功率光源，在光刻、微加工等領域具有不可替代的地位。其性能核心依賴于高壓電源放電通道的穩定性與效率。放

光刻機高壓電源多電平轉換技術的應用突破

光刻機作為集成電路制造的核心設備，其曝光精度直接依賴于高壓電源的穩定性與純凈度。傳統兩電平電源方案存在輸出電壓紋波大、動態響應慢、

離子注入高壓電源的智能溫度補償技術

1 離子注入工藝的溫度敏感性離子注入是半導體制造的核心工藝，通過高能離子束轟擊芯片表面形成特定摻雜區域。該過程對溫度極為敏感：&bul

蝕刻設備高壓電源等離子體噪聲抑制技術研究

等離子體噪聲是半導體蝕刻工藝中的核心干擾源，表現為電源輸出波動、電磁輻射及異常放電等現象，直接影響蝕刻均勻性、選擇比和器件良率。其

準分子激光高壓電源氣體預電離控制技術研究

準分子激光器（如ArF、KrF等）作為深紫外波段的高功率脈沖光源，在光刻、微加工、醫療等領域具有不可替代的地位。其工作依賴于高壓電源產生

光刻機高壓電源低紋波諧振拓撲技術研究

光刻機作為半導體制造的核心設備，其曝光精度直接決定芯片的線寬極限。高壓電源的紋波性能是影響曝光質量的關鍵因素——紋波會引入電場擾動

離子注入高壓電源瞬態過壓保護電路的設計與應用

離子注入是半導體制造中的關鍵工藝，其高壓電源的穩定性直接決定注入精度與設備安全。高壓電源在工作過程中易受瞬態過壓沖擊，例如負載突變