技術資源

離子注入高壓電源的智能梯度調節技術研究與應用

離子注入作為半導體制造的核心工藝之一，其精度直接影響器件的電學性能和良率。傳統高壓電源在離子注入過程中存在兩大痛點：一是注入能量的

靜電卡盤高壓電源表面電荷監測技術及其在半導體制造中的關鍵作用

1 靜電卡盤的工作原理與表面電荷的生成機制靜電卡盤（ESC）通過高壓電源在電極上施加直流電壓（通常為500–4000 V），使晶片與介電

準分子激光高壓電源放電延遲校正技術研究

摘要準分子激光器在半導體光刻、眼科手術等領域具有不可替代的作用，其輸出脈沖的時序精度直接影響工藝質量。高壓電源作為驅動核心，放電延

光刻機高壓電源電磁兼容強化方案

光刻機作為半導體制造的核心設備，其高壓電源的電磁兼容性（EMC）直接影響曝光精度與系統穩定性。高壓電源在工作時產生的瞬態干擾、諧波噪

離子注入高壓電源的動態負載補償技術：精密制造的核心突破

在半導體制造中，離子注入是定義器件電學特性的關鍵工藝，其精度直接影響芯片的性能與良率。離子注入機的高壓電源系統需為離子加速提供穩定

靜電卡盤高壓電源介質損耗抑制技術研究

在半導體制造工藝中，靜電卡盤（ESC）通過高壓電場吸附晶圓，其電源系統的性能直接影響工藝精度與穩定性。介質損耗作為高壓電源的核心問題

高壓電源的疾速脈搏：電鏡高壓電源亞毫秒級響應技術剖析

電子顯微鏡（EM）對物質微觀世界的揭示能力，其核心驅動力之一在于高壓電源（High Voltage Power Supply, HVPS）的卓越表現。傳統HVPS

光刻機高壓電源的多級隔離設計

引言光刻機作為半導體制造的核心設備，其高壓電源系統的穩定性直接決定曝光精度與芯片良率。尤其在極紫外（EUV）光刻機中，激光等離子體光

離子注入高壓電源梯度升壓技術的創新與應用

1 技術原理與核心機制離子注入高壓電源梯度升壓技術通過動態調節加速電壓（范圍覆蓋kV至MeV），實現離子在材料內部濃度的縱向梯度分布。