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靜電卡盤高壓電源擊穿防護機制研究

靜電卡盤作為半導體制造、精密加工等領域的關鍵部件，依賴高壓電源提供靜電場以實現工件的無損固定。然而，高壓環境下的介質擊穿問題可能引

離子注入高壓電源能效比提升策略

離子注入技術是半導體制造的核心工藝之一，其高壓電源系統的能效比直接影響芯片生產的能耗與經濟性。本文從材料創新、系統控制優化及熱管理

靜電卡盤高壓電源多物理場耦合仿真研究

摘要：隨著半導體制造工藝向亞納米精度發展，靜電卡盤（ESC）的電壓穩定性與熱管理性能對晶圓形變控制至關重要。本文基于多物理場聯合仿真

準分子激光高壓電源氣體放電控制的技術突破與應用演進

準分子激光器（如ArF、KrF等）作為深紫外波段的核心光源，其性能高度依賴于高壓電源對氣體放電的精確控制。氣體放電的穩定性、效率及壽命直

光刻機高壓電源諧波諧振防護的關鍵技術研究

光刻機作為半導體制造的核心裝備，其高壓電源的穩定性直接決定曝光精度和芯片良率。高壓電源為電子束偏轉系統、離子光學單元提供能量，而負

離子注入高壓電源故障預測算法的應用與進展

離子注入是半導體制造的核心工藝，其高壓電源的穩定性直接決定芯片良率。然而，高壓電源長期處于高負載、強電場環境，易受電磁干擾、元器件

靜電卡盤高壓電源接觸電阻監測的關鍵技術及應用

在半導體制造工藝中，靜電卡盤（ESC）通過高壓電場吸附晶圓，其核心驅動部件——高壓電源的穩定性直接決定晶圓平整度與溫度均勻性。而高壓

電鏡高壓電源分布式供電架構的技術演進與應用價值

電子顯微鏡（SEM TEM）的性能直接依賴于高壓電源的穩定性。電鏡的電子槍需產生高能電子束（通常為1–300 kV）

光刻機高壓電源自適應諧振補償技術研究

引言光刻機作為半導體制造的核心裝備，其高壓電源的性能直接影響曝光精度與芯片良率。高壓電源需為電子束偏轉系統、離子光學單元等關鍵部件