技術資源

離子注入高壓電源浪涌抑制方法

在半導體制造工藝中，離子注入機的高壓電源系統需在毫秒級時間內實現千伏級電壓的快速升壓，這一過程易因容性負載（如離子源與引出電極）產

靜電卡盤高壓電源抗電弧設計的核心技術剖析

一、電弧產生機理與危害在半導體工藝中，靜電卡盤（ESC）通過高壓電源（典型參數：±5kV 10mA）產生靜電場吸附晶圓。然而，在真空或

電鏡高壓電源的高精度反饋調節技術研究與應用

電鏡成像質量直接依賴于高壓電源的穩定性。當束流電壓波動超過±0 01%時，可能導致圖像分辨率顯著下降。因此，高精度反饋調節系統成

蝕刻設備高壓電源能量回收技術：原理、設計與應用

一、技術背景與意義蝕刻設備在半導體、微電子及材料加工領域應用廣泛，但其高壓電源系統能耗巨大。傳統蝕刻過程中，約60%的能量轉化為廢熱

準分子激光高壓電源重復頻率控制關鍵技術研究

一、高重復頻率下的技術挑戰準分子激光器（如ArF、KrF等）在半導體光刻、精密微加工等領域需實現kHz級高重復頻率運行（通常達4–6kHz

靜電卡盤高壓電源電磁屏蔽設計

• 高壓電源設計挑戰：分析靜電卡盤電源系統的核心需求，包括電壓穩定性、快速響應和故障冗余設計，使用表格對比不同技術方案。•

電鏡高壓電源低噪聲拓撲優化

電子顯微鏡（電鏡）的分辨率直接依賴于高壓電源的穩定性。電源噪聲會導致電子束軌跡偏移，造成圖像模糊、細節丟失甚至數據失真。因此，高壓

蝕刻設備高壓電源故障自恢復技術的創新與應用

在半導體制造工藝中，蝕刻設備依賴高壓電源（通常達千伏級）驅動等離子體生成，以實現納米級精度的晶圓蝕刻。然而，高壓電源在運行中易因打

準分子激光高壓電源脈沖整形研究

1 引言準分子激光器以其短波長（紫外至深紫外波段）、高功率密度和納秒級脈沖輸出能力，在光刻、材料加工、醫療及慣性約束聚變（ICF）等領